механізм переходу p-n перходу

Механізм утворення p-n переходу. В основі більшості напівпровідникових діодів і транзисторів лежить контакт двох напів-провідників з різним типом електропро-відності. Такий контакт називають електронно-дірковим переходом або p-n переходом. Він може бути отриманий, наприклад, шляхом дифузії донорної домішки в напівпровідник p-типу. Ідеалізована одномірна структура p-n переходу зображена на рис. а). Для простоти будемо вважати, що концентрація легуючої домішки в областях n і p типу розподілена рівномірно, причому концентрація донорної домішки ND в n-напівпровіднику значно більше, ніж концентраці

Открытие P-N перехода позволило совершить революцию в современной электронике. Без него мы бы с вами никогда не увидели современные компьютеры, телефоны, телевизоры и другие столь привычные нам гаджеты. Так в чем же его суть? В этой статье я постараюсь вам объяснить все это простыми словами без скучных формул и заумных фраз. Итак, приступим. Что такое P–N переход Итак, давайте разберемся в принцип.

Электронно-дырочный переход (p–n переход). Принцип действия полупроводниковых приборов объясняется свойствами так называемого электронно-дырочного перехода (p-n - перехода) - зоной раздела областей полупроводника с разным механизмами проводимости. Электронно-дырочный переход - это область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости (от электронной n-области к дырочной p-области). Поскольку в р-области электронно-дырочного перехода концентрация дырок гораздо выше, чем в n-области, дырки из n -области стремятся диффундировать в электронную область. Электрон

Этот переход сделал настоящую техническую революцию в электронике. Глобально p-n переход – это основа всей современной электроники. И в этой статье мы подробно разберёмся что это за переход, для чего он нужен и как работает. Содержание. Атомы и ковалентная связь. Полупроводники и кристаллическая решетка. Проводимость кристаллической решетки с примесями. Донорская примесь и n-тип. Акцепторная примесь и p-тип.

P-n переход. Полупроводниковым p-n- переходом называют тонкий слой, образующийся в месте контакта двух областей полупроводников акцепторного и донорного типов. Обе области полупроводника, изображенные на рисунке, электрически нейтральны, поскольку как сам материал полупроводника, так и примеси электрически нейтральны. Рассмотренные переходы основных носителей сформируют плотность тока основных носителей через p-n переход: -W. jосн = j0e kT.

В составе большинства современных электронных устройств обязательно присутствуют особые компоненты, называемые диодами, конденсаторами, транзисторами или микросхемами (фото ниже). В основу их работа заложены физические процессы, протекающие в зоне контакта двух полупроводников различной проводимости, обозначаемых как P и N

Электронно-дырочный переход (p – n переход). p – n переходом называют область, находящуюся на границе раздела между дырочной и электронной областями одного кристалла. Переход создаётся не простым соприкосновением полупроводниковых пластин p и n типа. Он создаётся в одном кристалле введением двух различных примесей, создающем в нём электронную и дырочную области. Рис.1. Механизм образования и действия p – n перехода. а – основные и неосновные носители в областях полупроводника. б – образование p – n перехода. в – направление протекания диффузионного тока и тока проводимости. г – p–n переход под

P-N переход — точка в полупроводниковом приборе, где материал N-типа и материал P-типа соприкасаются друг с другом. Материал N-типа обычно упоминается как катодная часть полупроводника, а материал P-типа — как анодная часть. Схема P-N перехода. Обратите внимание на основы электричества и на приборы электроники. Когда P-N переход имеет соответствующее прямое смещение, то он обеспечивает минимальное сопротивление проходящему через него потоку тока. Прямой P-N переход. Обратный P-N переход. Когда P-N переход обратный (с обратным смещением), то отрицательный потенциал подается на анод, а положительный — на катод.

p — n-перехо́д (n — negative — отрицательный, электронный, p — positive — положительный, дырочный) , или электронно-дырочный переход — разновидность гомопереходов, Зоной p-n перехода называется область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости от электронной n к дырочной p. Электронно-дырочный переход может быть создан различными путями: 1. в объёме одного и того же полупроводникового материала, легированного в одной части донорной примесью (n-область) , а в другой — акцепторной (p-область) ; 2. на границе двух различных полупроводников с разными типами

P-N переходы изготавливаются из монокристаллического куска полупроводника с областями P и N типа в непосредственной близости от перехода. Перенос электронов через переход со стороны N-типа к дыркам на сторону P-типа с последующим взаимным уничтожением создает падение напряжения на переходе, составляющее от 0,6 до 0,7 вольта для кремния и зависящее от полупроводника. Прямое смещение P-N перехода при превышении значения прямого напряжения приводит к протеканию тока через переход. Через P-N переход, к которому приложено обратное смещение, протекает обратный ток утечки, зависящий от температуры. В небольших кремниевых диодах он не превышает микроампер.

p — n-перехо́д (n — negative — отрицательный, электронный, p — positive — положительный, дырочный) , или электронно-дырочный переход — разновидность гомопереходов, Зоной p-n перехода называется область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости от электронной n к дырочной p. Электронно-дырочный переход может быть создан различными путями: 1. в объёме одного и того же полупроводникового материала, легированного в одной части донорной примесью (n-область) , а в другой — акцепторной (p-область) ; 2. на границе двух различных полупроводников с разными типами

Електронно-дірковий перехід (скорочено p‑n перехід) — основний елемент сучасних напівпровідникових приладів (діодів, транзисторів та інших); p‑ n перехід виникає на межі між дірковою та електронною областями одного кристалу. Однак його не можна створити шляхом простого стикування напівпровідникових пластин p‑ та n‑ типу, оскільки при цьому неминучий проміжний шар повітря, окислів або поверхневого забруднення. Крім цього неможливо зістикувати пластини так, щоб відстань між їх краями була меншою (або по крайній мірі рівною) за відстань між атомами кристалічної решітки кристалу.

Полупроводниковым диодом называется электропреобразовательный полупроводниковый прибор с одним выпрямляющим электрическим переходом, имеющий 2 вывода. Структура полупроводникового диода с электронно-дырочным переходом и его условное графическое обозначение приведены на рис. 1.2, а, б. Буквами p и n обозначены слои полупроводника с проводимостями соответственно p-типа и n-типа. Обычно концентрации основных носителей заряда (дырок в слое p и электронов в слое n ) сильно различаются. Слой полупроводника, имеющий большую концентрацию, называют эмиттером, а имеющий меньшую концентрацию — базой.

Итак, p-n переход (электронно-дырочный переход) – это область, в которой соприкасаются два полупроводника, имеющие разный тип проводимости (p-тип и n-тип): Причем обе области электрически нейтральны. Только одна из них содержит свободно перемещающиеся дырки, а вторая – электроны. При соприкосновении полупроводников разного типа возникает диффузионный ток. Это связано с тем, что свободные носители (электроны и дырки) стремятся перейти из той области, где их много в ту область, где их мало. При прохождении через переход частицы рекомбинируют друг с другом. В результате этого вблизи границы перех

Р-n-перехід і його властивості. Тонкий шар напівпровідника між двома областями, одна з яких представляє напівпровідник p-типу, а інша n -типу, називають р-n-перехід. Концентрації основних носіїв заряду в р- і n -області можуть бути рівні або істотно різнитися. У першому випадку р-п- перехід називають симетричним, у другому - несиметричним. Частіше використовують несиметричні переходи. Нехай концентрація акцепторної домішки в p-області більше, ніж концентрація донорної домішки в n -області (рис. 1.3, а). Відповідно, концентрація дірок (світлі кружки) в р -області буде більше, ніж концентрація е

Свойства p-n-перехода. Примесные полупроводники. Донорная примесь: основные носители заряда - свободные электроны. Остается положительный ион примеси. Акцепторная примесь: основные носители заряда—дырки. Остается отрицательный ион примеси. В месте контактадонорного и акцепторного полупроводников возникает электронно-дырочный переход (p-n-переход). Свойства р-п-перехода. 3. Прямое включение. Существует ток основных носителей заряда. p-n-переход пропускает электрический ток только в одном направлении. (свойство односторонней проводимости). Полупроводниковый диод. Схематическое изображение. Направление стрелки указывает направление тока. Устройство диода.

p-n переход: устройство и принцип работы. Полупроводники занимают промежуточное положение по проводимости электрического тока между диэлектриками и проводниками. Для создания полупроводниковых приборов в основном используют германий, кремний, арсенид галлия и селен. Поэтому дырка, как и электрон, будет блуждать по кристаллу полупроводника. Если при воздействии на кристалл электрического поля свободные электроны являются электронами проводимости и создают в полупроводнике ток, тогда он будет называться полупроводник с электронной проводимостью, или проводимостью n-типа.

p-n переход создают в естественном полупроводнике легированием донорными и акцепторными примесями по разные стороны от границы раздела. При этом область, в которую вводились донорные примеси становится n-областью с электронной проводимостью, область в которую ввели акцепторные примеси - p-областью с преимущественной дырочной проводимостью. Так как в n- области концентрация электронов больше (в сравнении с концентрацией дырок), а в p- области наоборот, то электроны диффундируют из n- области, в p- область, а дырки в обратном направлении.